薄膜沉積（如CVD/ALD）是半導(dǎo)體制造的核心工藝之一，需定期使用NF?清潔腔室以去除沉積物。精確控制清潔終點至關(guān)重要：
傳統(tǒng)方法依賴經(jīng)驗時間控制，但實際最佳清潔時間受沉積厚度、溫度、壓力等因素影響，且參數(shù)可能漂移。因此，多數(shù)工藝會延長清潔時間以確保徹底清潔，但造成資源浪費。Johnson等（2004）提出通過監(jiān)測SiF?分壓確定清潔終點。紅外氣體傳感器因其高實時性和可靠性，已成為主流檢測手段。
在半導(dǎo)體制造過程中，氧污染會引發(fā)不必要的氧化反應(yīng)，導(dǎo)致集成電路和硅片產(chǎn)生缺陷，進而破壞薄膜結(jié)構(gòu)的完整性，嚴(yán)重影響產(chǎn)品的均勻性與可靠性。因此，半導(dǎo)體制造商必須對工藝氣體及設(shè)備腔室中的氧含量進行嚴(yán)格監(jiān)控，即便是微量氧氣（低至ppm級）也可能顯著損害元件性能。
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